Пирометр оптоволоконный предназначен для измерения абсолютной температуры (в ^oС) поверхности подложек (пластин) GaAs или сапфира, с нанесенным на обратную сторону квазинепрозрачным слоем металла (молибдена, вольфрама), непосредственно в ходе эпитаксиального процесса на установках молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ).

Универсальность системы, обеспечивается волоконнооптической системой вывода излучения и удаленной измерительной схемой, выполненной в стандарте "Евромеханика", что предоставляет возможность ее установки на МПЭ любых модификаций с минимальными доработками.

Оптическая схема приемника излучения рассчитана на измерения температуры на участке подложки диаметром 3-5 мм, находящемся на расстояние от внешней поверхности пирометрического окна установки МПЭ равном 50 ± 6 см при диаметре подложки ≥ 30 мм.

Юстировки прибора осуществляется с помощью двухкоординатной подвижки, а контроль за положением участка, на котором измеряется температура - с помощью встроенного лазерного визира, позволяющего визуально наблюдать участок подложки, сопряженный с детектором пирометра.

Высокая чувствительность обеспечивается использованием специализированного малошумящего фотоприемника;
Широкий динамический диапазон (более 10⁵) обусловлен оригинальной схемой обработки сигнала фотоприемника;
Возможность использования аналитической зависимости з-на Планка, обусловленная узким спектральным диапазоном пирометрического сигнала, допускает привязку показаний прибора по характерной точке, с использованием дополнительной информации о температуре;
Периодическая калибровка на характерные температурные точки исследуемого объекта обеспечивает стабильность показаний в условиях измерений температуры объектов с неизвестной излучательной способностью и в условиях изменяющегося пропускания промежуточной среды;

Не требует калибровки на абсолютно черное тело (АЧТ)